沈阳中科汉达科技有限公司
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产品详情
腔体合成炉
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参考报价:
面议
品牌:
中科汉达
关注度:
25
样本:
暂无
型号:
腔体合成炉
产地:
辽宁
信息完整度:
典型用户:
暂无
最高温度:
2400℃
非金属电热元件:
其他
金属电热元件:
其他
烧结气氛:
其他
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高级会员 第 1
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认 证:工商信息已核实
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产品简介

适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。

技术参数

生长工艺

PVT

生长尺寸

6-8英寸

产品类型

非标定制

加热方式

感应加热(中频感应加热)

**温度

2400℃

系统停泵关机12小时后真空度

≤5Pa

控制方式

PLC集成控制

系统极限真空度

≤7×10-5 Pa (经烘烤除气后)

系统真空检漏漏率

≤5.0×10-7 Pa.l/S

冷却方式

循环水路系统

适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接,内表面镜面抛光,反射热量,减少功率损耗,减少气体附着。自主研发控制系统,实现自动化稳定、安全、操作便捷。适用于碳化硅原料合成也可用于碳化硅晶体生长,采用中频感应电源加热方式,上取放料、坩埚轴快慢速移动。内壁氩弧焊接,内表面镜面抛光,反射热量,减少功率损耗,减少气体附着。自主研发控制系统,实现自动化稳定、安全、操作便捷。

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